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首页 全部分类 PIMD3,115 vs PMD9002D,115

PIMD3,115备选型号: PMD9002D,115

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  • 晶体管应用
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  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
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  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 应用
  • 额定电流
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 极性/通道类型
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 集电极-发射器电压-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • Nexperia USA Inc.
    PIMD3,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    600mW
    鸥翼
    260
    40
    P*MD3
    6
    100mA
    50V
    NPN, PNP
    Dual
    SWITCHING
    50V
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    30 @ 5mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    50V
    10k Ω
    10k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMD9002D,115
    NXP USA Inc.
    IC MOSFET DRIVER 6TSOP
    -
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    -
    2
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    TIN
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    260
    40
    PMD9002
    6
    -
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    -
    2 NPN (Totem Pole)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    MOSFET驱动器
    100mA NPN 100mA NPN
    DUAL
    R-PDSO-G6
    不合格
    CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    NPN
    0.1A
    30
    45V
    1640ns
    83ns
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