注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.537451
10
¥0.507029
100
¥0.47833
500
¥0.451254
1000
¥0.425711
Nexperia USA Inc. PIMD3,115
- 收藏
- 对比
PIMD3,115
1729-PIMD3,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SC-74, SOT-457
大陆
立即发货

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PIMD3,115详情
Nexperia USA Inc. PIMD3,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
600mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
P*MD3
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
50V
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PIMD3,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。