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PMBFJ177,215备选型号: PMBFJ175,215

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  • 安装类型
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
  • 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）
  • 电阻-RDS(On)
  • RoHS状态
  • NXP USA Inc.
    PMBFJ177,215
    NXP USA Inc.
    PMBFJ174 Series 30 V 20 mA P-Ch silicon Field-effect Transistor - SOT-23-3
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    SILICON
    1
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    MBFJ177
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE
    DEPLETION MODE
    300mW
    P-Channel
    SWITCHING
    8pF @ 10V VGS
    300Ohm
    30V
    JUNCTION
    0.3W
    1.5mA @ 15V
    800mV @ 10nA
    30V
    300Ohm
    ROHS3 Compliant
  • NXP USA Inc.
    PMBFJ175,215
    NXP USA Inc.
    JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    SILICON
    1
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    MBFJ175
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE
    DEPLETION MODE
    300mW
    P-Channel
    SWITCHING
    8pF @ 10V VGS
    125Ohm
    30V
    JUNCTION
    0.3W
    7mA @ 15V
    3V @ 10nA
    30V
    125Ohm
    ROHS3 Compliant
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