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首页 全部分类 PMCM650VNEZ vs DMN1029UFDB-7

PMCM650VNEZ备选型号: DMN1029UFDB-7

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  • 安装类型
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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    PMCM650VNEZ
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFBGA, WLCSP
    6.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    25m Ω @ 3A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    1060pF @ 6V
    15.4nC @ 4.5V
    12V
    ±8V
    6.4A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1029UFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    2 N-Channel (Dual)
    29m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    914pF @ 6V
    19.6nC @ 8V
    12V
    -
    5.6A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e4
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.4W
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    1.4W
    SWITCHING
    0.029Ohm
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
  • 添加型号
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-UDFN Exposed Pad MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 对比