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首页 全部分类 PMCXB900UEZ vs PMN25UN,115

PMCXB900UEZ备选型号: PMN25UN,115

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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    PMCXB900UEZ
    Nexperia USA Inc.
    PMCXB900UE - 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET
    4 Weeks
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    YES
    6
    SILICON
    600mA 500mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchFET®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    265mW
    DUAL
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N and P-Channel Complementary
    SWITCHING
    620m Ω @ 600mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    21.3pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    500mA
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMN25UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    -
    SILICON
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    DUAL
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    470pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    20V
    -
    -
    -
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    IEC-60134
    R-PDSO-G6
    ±8V
    6A
    0.027Ohm
    2013-06-14 00:00:00
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PMN25UN,115 PMN25UN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-74, SOT-457 MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP 对比