PMDT290UCE,115备选型号: PMF63UN,115

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Vgs(最大值)
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N/P-CH 20V SOT666
    4 Weeks
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    6
    SILICON
    800mA 550mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    500mW
    FLAT
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    330mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 500mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    83pF @ 10V
    0.68nC @ 4.5V
    30ns
    20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    72 ns
    550mA
    8V
    0.8A
    0.38Ohm
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
    -
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    -
    -
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    74m Ω @ 1.8A, 4.5V
    1V @ 250μA
    185pF @ 10V
    3.3nC @ 4.5V
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ±8V
    2013-06-14 00:00:00
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