Nexperia USA Inc. PMDT290UCE,115

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA 550mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

330mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

83pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.68nC @ 4.5V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

72 ns

连续放电电流(ID)

550mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.38Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅