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首页 全部分类 PMDXB600UNELZ vs DMP21D0UT-7

PMDXB600UNELZ备选型号: DMP21D0UT-7

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  • 场效应管特性
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  • 质量
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  • JESD-609代码
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  • 端子位置
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  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMDXB600UNELZ
    Nexperia USA Inc.
    PMDXB600UNEL - 20 V, dual N-channel Trench MOSFET
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    380mW
    无铅
    6
    IEC-60134
    R-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    380mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    620m Ω @ 600mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    21.3pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    20V
    600mA
    0.6A
    0.62Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP21D0UT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-523
    SILICON
    1.8V 4.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    495m Ω @ 400mA, 4.5V
    -
    80pF @ 10V
    1.54nC @ 8V
    20V
    650mA
    0.59A
    0.495Ohm
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    2.012816mg
    700mV @ 250μA
    e3
    yes
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    1
    Single
    7.1 ns
    8ns
    ±8V
    18.5 ns
    8V
    850μm
    1.7mm
    800μm
    无SVHC
    无
    无铅
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