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首页 全部分类 PMDXB600UNELZ vs PMZ600UNELYL

PMDXB600UNELZ备选型号: PMZ600UNELYL

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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 端子位置
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMDXB600UNELZ
    Nexperia USA Inc.
    PMDXB600UNEL - 20 V, dual N-channel Trench MOSFET
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    380mW
    无铅
    6
    IEC-60134
    R-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    380mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    620m Ω @ 600mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    21.3pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    20V
    600mA
    0.6A
    0.62Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ600UNELYL
    Nexperia USA Inc.
    20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    SILICON
    600mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    无铅
    -
    IEC-60134
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    620m Ω @ 600mA, 4.5V
    -
    21.3pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    20V
    600mA
    0.6A
    3Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    3
    950mV @ 250μA
    BOTTOM
    无铅
  • 添加型号
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