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首页 全部分类 PMEG10020AELPX vs SBR2A30P1-7

PMEG10020AELPX备选型号: SBR2A30P1-7

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  • 配置
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  • 工作温度 - 结点
  • 最大反向电压（DC）
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  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • 反向电流-最大值
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • Operating Temperature (Max)
  • Operating Temperature (Min)
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压(直流电)
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMEG10020AELPX
    Nexperia USA Inc.
    DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD128
    13 Weeks
    SOD-128
    表面贴装
    表面贴装
    2
    SILICON
    0.75W
    2009
    Automotive, AEC-Q101
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EFFICIENCY
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-F2
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    300nA @ 100V
    770mV @ 2A
    2A
    175°C Max
    100V
    2A
    1
    5 ns
    135pF @ 1V 1MHz
    0.3μA
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    SBR2A30P1-7
    Diodes Incorporated
    DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
    13 Weeks
    POWERDI®123
    表面贴装
    表面贴装
    2
    SILICON
    1
    2012
    SBR®
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    超快速柔软恢复
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    -
    -
    -
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    200μA @ 30V
    450mV @ 2A
    2A
    -65°C~150°C
    30V
    2A
    1
    5 ns
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    10.007382mg
    150°C
    -65°C
    e3
    no
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.80
    SBR2A30
    Single
    CATHODE
    2A
    500mV
    200μA
    30V
    75A
    30V
    1.78mm
    980μm
    2.8mm
    无
    无铅
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