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首页 全部分类 PMEG2005AEL,315 vs BAS116LPH4-7B

PMEG2005AEL,315备选型号: BAS116LPH4-7B

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  • 终端形式
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • 恢复时间
  • Nexperia USA Inc.
    PMEG2005AEL,315
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PMEG2005AEL,315 - SCHOTTKY RECT 20V 0.5A SOD882
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOD-882
    2
    453.59237mg
    SILICON
    150°C
    -65°C
    1
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    8541.10.00.50
    BOTTOM
    260
    40
    PMEG2005
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    1.5mA @ 20V
    440mV @ 500mA
    500mA
    1.5mA
    150°C Max
    3A
    0.5A
    500mA DC
    440mV
    20V
    500mA
    1.5mA
    20V
    25pF @ 1V 1MHz
    3A
    3A
    470μm
    1.02mm
    620μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    BAS116LPH4-7B
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN
    19 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    0402 (1006 Metric)
    2
    -
    SILICON
    150°C
    -55°C
    1
    Tape & Reel (TR)
    -
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    8541.10.00.70
    BOTTOM
    260
    40
    BAS116
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5nA @ 75V
    1.25V @ 150mA
    215mA
    -
    -55°C~150°C
    4A
    -
    215mA DC
    1.25V
    85V
    215mA
    80nA
    85V
    1.5pF @ 0V 1MHz
    4A
    -
    1.075mm
    1.08mm
    675μm
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    无铅
    yes
    200mW
    300mW
    无铅
    300mW
    3 μs
    3 μs
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