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首页 全部分类 PMGD175XN,115 vs DMP3098L-7

PMGD175XN,115备选型号: DMP3098L-7

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  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
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  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
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  • 端子位置
  • 通道数量
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PMGD175XN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    900mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    鸥翼
    6
    IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    390mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    225m Ω @ 1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    75pF @ 15V
    1.1nC @ 4.5V
    30V
    0.9A
    0.225Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.905W
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP3098L-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    SILICON
    3.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    鸥翼
    3
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 3.8A, 10V
    2.1V @ 250μA
    336pF @ 25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    Tin
    3
    7.994566mg
    yes
    EAR99
    70mOhm
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    1
    30V
    Single
    38A
    1.08W
    6 ns
    5ns
    ±20V
    5 ns
    3.8A
    -1.8V
    20V
    54.2ns
    22ns
    1mm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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