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PMGD175XN,115备选型号: PMV37EN,215
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- Vgs（最大值）
- 源Url状态检查日期
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YESSILICON900mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3Obsolete1 (Unlimited)6Tin (Sn)鸥翼6IEC-60134R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET390mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING225m Ω @ 1A, 4.5V1.5V @ 250μA75pF @ 15V1.1nC @ 4.5V30V0.9A0.225Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.905W逻辑电平门ROHS3 Compliant--
MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3--3.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011-Obsolete1 (Unlimited)---3-----N-Channel-36m Ω @ 3.1A, 10V2.5V @ 250μA330pF @ 10V10nC @ 10V30V------ROHS3 Compliant±20V2013-06-14 00:00:00- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMPB16XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN | 对比 |
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
 | PMDPB95XNE,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | 对比 |
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