我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
PMN25EN,115备选型号: PMPB16XN,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 引脚数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 源Url状态检查日期
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET表面贴装SC-74, SOT-4576.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013Obsolete1 (Unlimited)6N-Channel23m Ω @ 6.2A, 10V2.5V @ 250μA492pF @ 15V11nC @ 10V30V±20V2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN表面贴装6-UDFN Exposed Pad7.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012Obsolete1 (Unlimited)6N-Channel21m Ω @ 7.2A, 4.5V1.5V @ 250μA775pF @ 15V10.8nC @ 4.5V30V±12V-ROHS3 CompliantYESSILICONe36TINDUAL无铅IEC-60134S-PDSO-N6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING7.2A0.021Ohm28A30V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMPB16XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN | 对比 |
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
 | PMV22EN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23 | 对比 |
哦! 它是空的。