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PMN25UN,115备选型号: PMV30XN,215
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 源Url状态检查日期
- RoHS状态
- JEDEC-95代码
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP表面贴装SC-74, SOT-457YESSILICON6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明未说明6IEC-60134R-PDSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 6A, 4.5V1V @ 250μA470pF @ 10V10nC @ 4.5V20V±8V6A0.027Ohm20V2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant-
N-Channel 20V 3.2A (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YESSILICON3.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3Obsolete1 (Unlimited)3-Tin (Sn)DUAL鸥翼--3IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 3.2A, 4.5V1.5V @ 250μA420pF @ 15V7.4nC @ 4.5V20V±12V3.2A0.035Ohm20V2013-06-14 00:00:00ROHS3 CompliantTO-236AB- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV30XN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | N-Channel 20V 3.2A (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) | 对比 |
| PMV28UN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 | 对比 |
 | PMPB20UN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN | 对比 |
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