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首页 全部分类 PMN35EN,125 vs PMDPB95XNE,115

PMN35EN,125备选型号: PMDPB95XNE,115

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    PMN35EN,125
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    6-TSOP
    5.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1.25W
    4 ns
    N-Channel
    31mOhm @ 5.1A, 10V
    2.5V @ 250μA
    334pF @ 15V
    9.3nC @ 10V
    15ns
    30V
    ±20V
    24 ns
    5.1A
    20V
    30V
    334pF
    31 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMDPB95XNE,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    -
    2.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    120m Ω @ 2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    143pF @ 15V
    2.5nC @ 4.5V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2012
    6
    475mW
    逻辑电平门
  • 添加型号
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