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首页 全部分类 PMN35EN,125 vs PMGD175XN,115

PMN35EN,125备选型号: PMGD175XN,115

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  • 场效应管类型
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    PMN35EN,125
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    6-TSOP
    5.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1.25W
    4 ns
    N-Channel
    31mOhm @ 5.1A, 10V
    2.5V @ 250μA
    334pF @ 15V
    9.3nC @ 10V
    15ns
    30V
    ±20V
    24 ns
    5.1A
    20V
    30V
    334pF
    31 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMGD175XN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    900mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    225m Ω @ 1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    75pF @ 15V
    1.1nC @ 4.5V
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    2012
    e3
    6
    Tin (Sn)
    鸥翼
    6
    IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    390mW
    SWITCHING
    0.9A
    0.225Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.905W
    逻辑电平门
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