PMT200EN,115备选型号: BSP92PL6327HTSA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73表面贴装TO-261-4, TO-261AAYES1.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3Obsolete1 (Unlimited)Tin (Sn)4Single增强型MOSFETN-Channel235m Ω @ 1.5A, 10V2.5V @ 250μA475pF @ 80V10nC @ 10V100V±20V1.8AROHS3 Compliant---------------
- Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R表面贴装TO-261-4, TO-261AA-260mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002-Obsolete1 (Unlimited)----P-Channel12Ohm @ 260mA, 10V2V @ 130μA104pF @ 25V5.4nC @ 10V250V±20V-符合RoHS标准表面贴装4PG-SOT223-4SIPMOS®150°C-55°C1.8W5 ns6ns33 ns260mA20V104pF12 Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMT760EN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V SC-73 | 对比 | |
![]() | BSP88L6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| PMT760EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V SC-73 | 对比 |



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