PMT200EN,115备选型号: BSP92PL6327HTSA1

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 底架
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  • 供应商器件包装
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    4
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    235m Ω @ 1.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    475pF @ 80V
    10nC @ 10V
    100V
    ±20V
    1.8A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    260mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    12Ohm @ 260mA, 10V
    2V @ 130μA
    104pF @ 25V
    5.4nC @ 10V
    250V
    ±20V
    -
    符合RoHS标准
    表面贴装
    4
    PG-SOT223-4
    SIPMOS®
    150°C
    -55°C
    1.8W
    5 ns
    6ns
    33 ns
    260mA
    20V
    104pF
    12 Ω
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