NXP USA Inc. PMT200EN,115

表面安装

YES

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

安装类型

表面贴装

引脚数

4

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

800mW Ta 8.3W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A Ta

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin (Sn)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

235m Ω @ 1.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

475pF @ 80V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.8A

RoHS状态

ROHS3 Compliant