PMT29EN,115备选型号: BSP318SL6327HTSA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 6A SC-73
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    N-Channel
    29m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    492pF @ 15V
    11nC @ 10V
    30V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    90m Ω @ 2.6A, 10V
    2V @ 20μA
    380pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60V
    ±20V
    -
    符合RoHS标准
    表面贴装
    4
    SILICON
    SIPMOS®
    4
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    12 ns
    15ns
    15 ns
    2.6A
    20V
    60V
    60 mJ
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