PMV27UPEAR备选型号: IRLML2244TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- In a Pack of 25, 3 P-Channel MOSFET, -5.6 A, -20 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV27UPEAR4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON4.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012015活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼3AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING32m Ω @ 4.5A, 4.5V950mV @ 250μA1820pF @ 10V22.1nC @ 4.5V20V±8V4.5ATO-236AB0.032Ohm20VROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT2312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON4.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼----增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING54m Ω @ 4.3A, 4.5V1.1V @ 10μA570pF @ 16V6.9nC @ 4.5V20V±12V4.3A---ROHS3 Compliant3e3EAR9995MOhmMatte Tin (Sn)26030Single1.3W7 ns12ns25 ns-1.1V12V-20V32 ns-1.1 V1.02mm3.04mm1.4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 20 V SANYO T6 NCH IN | 对比 | |
![]() | DMP2066LSN-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 | 对比 |
| NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 | 对比 |





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