您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PMV28UN,215 vs PMPB20UN,115

PMV28UN,215备选型号: PMPB20UN,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 引脚数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • NXP USA Inc.
    PMV28UN,215
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    N-Channel
    32m Ω @ 3.3A, 4.5V
    1V @ 270μA
    470pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMPB20UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    N-Channel
    25m Ω @ 6.6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    460pF @ 10V
    7.1nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    e3
    6
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    IEC-60134
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    6.6A
    0.025Ohm
    27A
    20V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PMN25UN,115 PMN25UN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-74, SOT-457 MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP 对比
PMPB20UN,115 PMPB20UN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-UDFN Exposed Pad MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN 对比