PMV37EN,215备选型号: PMDPB70EN,115
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- 引脚数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 源Url状态检查日期
- RoHS状态
- 引脚数
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)3N-Channel36m Ω @ 3.1A, 10V2.5V @ 250μA330pF @ 10V10nC @ 10V30V±20V2013-06-14 00:00:00ROHS3 Compliant--------------
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN表面贴装6-UDFN Exposed Pad2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)62 N-Channel (Dual)57m Ω @ 3.5A, 10V2.5V @ 250μA130pF @ 15V4.5nC @ 10V---符合RoHS标准6510mWDual1.165W3 ns510mW16ns5 ns3.5A20V30V30V逻辑电平门无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | PMV22EN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23 | 对比 |
![]() | PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | 对比 |





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