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首页 全部分类 PMV48XPAR vs IRLML2502TRPBF

PMV48XPAR备选型号: IRLML2502TRPBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PMV48XPAR
    Nexperia USA Inc.
    PMV48XPAR Series -20 V -3.5 A 0.055 Ohm SMT P-Channel TrenchMOS FET - SOT-23
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    3.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    11 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 2.4A, 4.5V
    1.25V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    ±12V
    23 ns
    3.5A
    12V
    0.055Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2502TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    4.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    增强型MOSFET
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 4.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    740pF @ 15V
    12nC @ 5V
    10ns
    -
    ±12V
    26 ns
    4.2A
    12V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    45mOhm
    20V
    4.2A
    Single
    1.25W
    1.2V
    20V
    20V
    1.2 V
    1.016mm
    2.794mm
    3.05mm
    无SVHC
    无
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