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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.823499
10
¥1.720282
100
¥1.622907
500
¥1.531045
1000
¥1.444383
Nexperia USA Inc. PMV48XPAR
- 收藏
- 对比
PMV48XPAR
1729-PMV48XPAR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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PMV48XPAR Series -20 V -3.5 A 0.055 Ohm SMT P-Channel TrenchMOS FET - SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMV48XPAR详情
Nexperia USA Inc. PMV48XPAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
510mW Ta 4.15W Tc
Turn Off Delay Time
61 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
55m Ω @ 2.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.25V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 4.5V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
23 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.055Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMV48XPAR拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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