我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
PMXB65ENEZ备选型号: PMDPB70EN,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 环境温度范围高
- 高度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 场效应管特性
In a Pack of 25, 3 N-Channel MOSFET, 3.2 A, 30 V, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215 Nexperia PMXB65ENEZ4 Weeks表面贴装3-XDFN Exposed PadYES3SILICON3.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)2DUAL3R-PDSO-N2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET400mWDRAIN3 nsN-ChannelSWITCHING67m Ω @ 3.2A, 10V2.5V @ 250μA295pF @ 15V11nC @ 10V12ns±20V3 ns3.2A20V30V0.067Ohm30V150°C150°C400μm无ROHS3 Compliant----
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN-表面贴装6-UDFN Exposed Pad-6-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)--6----1.165W-3 ns2 N-Channel (Dual)-57m Ω @ 3.5A, 10V2.5V @ 250μA130pF @ 15V4.5nC @ 10V16ns-5 ns3.5A20V30V-30V---无符合RoHS标准510mWDual510mW逻辑电平门- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | 对比 |
哦! 它是空的。