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PMZ200UNEYL备选型号: MCH6663-TL-W
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 无铅
MOSFET N-CH 30V SOT8838 Weeks表面贴装表面贴装SC-101, SOT-8833SILICON1.4A Ta950mV @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2015活跃1 (Unlimited)3BOTTOM无铅IEC-60134R-PBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING250m Ω @ 1.4A, 4.5V89pF @ 15V2.7nC @ 4.5V30V±8V1.4A0.25Ohm30VROHS3 Compliant-----------
MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH67 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads-SILICON1.8A 1.5A--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)6DUAL--R-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N and P-Channel-188m Ω @ 900mA, 10V88pF @ 10V2nC @ 10V30V-1.5A0.188Ohm30VROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)e6yesTin/Bismuth (Sn/Bi)800mW2.6V @ 1mAN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.8AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4V Drive无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | 对比 |
| MCH6663-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 | 对比 |
 | SCH1436-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT563 | 对比 |
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