PN3685备选型号: KSA1013YBU
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 晶体管应用
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
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- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH TO-92通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)BulkObsolete1 (Unlimited)N-Channel符合RoHS标准-------------------------------------
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 Long BodyBulk活跃1 (Unlimited)-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)6 WeeksTin3185mgSILICON160V-1.5V150°C TJe3yes3EAR99-160V900mWBOTTOM-1A50MHzKSA1013Single900mWAMPLIFIER50MHzPNPPNP160V1A60 @ 200mA 5V1μA ICBO1.5V @ 50mA, 500mA50MHz160V-160V-6V无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSA928AYTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TRANS PNP 30V 2A TO-92-3 | 对比 |
![]() | KSC2316YTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
![]() | APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces | 对比 |





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