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首页 全部分类 PSMN010-25YLC,115 vs IRF8707TRPBF

PSMN010-25YLC,115备选型号: IRF8707TRPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PSMN010-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 25 V 10.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    39A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    4
    N-Channel
    10.6m Ω @ 10A, 10V
    1.95V @ 1mA
    678pF @ 12V
    11nC @ 10V
    25V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8707TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9.3nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    表面贴装
    8
    SILICON
    HEXFET®
    8
    EAR99
    11.9MOhm
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    6.7 ns
    SWITCHING
    7.9ns
    4.4 ns
    11A
    1.8V
    20V
    30V
    53 mJ
    150°C
    1.8 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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