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首页 全部分类 PSMN015-100YLX vs DMTH10H015LK3-13

PSMN015-100YLX备选型号: DMTH10H015LK3-13

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  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN015-100YLX
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PSMN015-100YLX - MOSFET, N-CH, 100V, 69A, SOT-669-4
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    SILICON
    69A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    14.7m Ω @ 20A, 10V
    2.1V @ 1mA
    6139pF @ 25V
    86.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    69A
    MO-235
    0.015Ohm
    274A
    100V
    110 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMTH10H015LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    SILICON
    52.5A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 20A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1871pF @ 50V
    33.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    52.5A
    -
    0.018Ohm
    50A
    100V
    85 mJ
    ROHS3 Compliant
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    not_compliant
    37.1A
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