您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PSMN015-100YLX vs IPD60N10S4L12ATMA1

PSMN015-100YLX备选型号: IPD60N10S4L12ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN015-100YLX
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PSMN015-100YLX - MOSFET, N-CH, 100V, 69A, SOT-669-4
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    SILICON
    69A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    14.7m Ω @ 20A, 10V
    2.1V @ 1mA
    6139pF @ 25V
    86.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    69A
    MO-235
    0.015Ohm
    274A
    100V
    110 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60N10S4L12ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin TO-252 T/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    12m Ω @ 60A, 10V
    2.1V @ 46μA
    3170pF @ 25V
    49nC @ 10V
    -
    ±16V
    60A
    -
    -
    240A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    3.949996g
    Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    1
    Single
    4 ns
    无卤素
    3ns
    21 ns
    16V
    100V
    100V
    含铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMTH10H015LK3-13 DMTH10H015LK3-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 对比
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP 对比