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首页 全部分类 PSMN015-60PS,127 vs BUK9E15-60E,127

PSMN015-60PS,127备选型号: BUK9E15-60E,127

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN015-60PS,127
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PSMN015-60PS,127 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 50A, 3-TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    9.071847g
    SILICON
    50A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    86W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.8m Ω @ 15A, 10V
    1220pF @ 30V
    20.9nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    7 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    60V
    60V
    44 mJ
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK9E15-60E,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
    -
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    NO
    3
    -
    SILICON
    54A Tc
    2.1V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 15A, 10V
    2651pF @ 25V
    20.5nC @ 5V
    -
    ±10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    40.5 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    TrenchMOS™
    雪崩 额定
    SINGLE
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60V
    54A
    0.015Ohm
    216A
    60V
    not_compliant
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