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首页 全部分类 PSMN021-100YLX vs BSC196N10NSGATMA1

PSMN021-100YLX备选型号: BSC196N10NSGATMA1

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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN021-100YLX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V LFPAK56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    LFPAK56, Power-SO8
    49A Tc
    2.1V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    N-Channel
    21.5mOhm @ 15A, 10V
    4640pF @ 25V
    65.6nC @ 10V
    100V
    ±20V
    49A
    4.64nF
    16.8mOhm
    21.5 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Infineon Technologies
    BSC196N10NSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8.5A Ta 45A Tc
    4V @ 42μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    19.6m Ω @ 45A, 10V
    2300pF @ 50V
    34nC @ 10V
    -
    ±20V
    45A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    8
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    no
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    22ns
    3V
    20V
    100V
    60 mJ
    无SVHC
    含铅
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