PSMN025-100D,118备选型号: BUK7E4R0-80E,127
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 附加功能
- 参考标准
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- NEXPERIA - PSMN025-100D,118 - MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 V12 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON47A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2011e3最后一次购买1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET150WDRAINN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 25A, 10V2600pF @ 25V61nC @ 10V100V±20V47A0.025Ohm188A100V260 mJnot_compliantROHS3 Compliant---
- MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO3SILICON120A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™2012e3Obsolete1 (Unlimited)3-Tin (Sn)-SINGLE---R-PSIP-T3-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAINN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 25A, 10V12030pF @ 25V169nC @ 10V80V±20V-0.004Ohm758A80V488 mJnot_compliantROHS3 Compliant雪崩 额定AEC-Q101; IEC-60134120A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7109-75AIE,118 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 对比 |
| BUK7E4R0-80E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK | 对比 | |
| BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | 对比 |



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