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首页 全部分类 PSMN1R7-25YLC,115 vs BSC016N03LSGATMA1

PSMN1R7-25YLC,115备选型号: BSC016N03LSGATMA1

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  • 包装
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  • 引脚数量
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PSMN1R7-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4 Tab) LFPAK T/R
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    4
    N-Channel
    1.9m Ω @ 25A, 10V
    1.95V @ 1mA
    3735pF @ 12V
    59nC @ 10V
    25V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC016N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    32A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    8
    N-Channel
    1.6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    10000pF @ 15V
    131nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    8
    SILICON
    OptiMOS™
    no
    8
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    8.6ns
    100A
    20V
    30V
    32A
    0.0023Ohm
    400A
    290 mJ
    无SVHC
    含铅
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