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首页 全部分类 PSMN1R7-25YLC,115 vs IRFH5250DTRPBF

PSMN1R7-25YLC,115备选型号: IRFH5250DTRPBF

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  • 安装类型
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  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PSMN1R7-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4 Tab) LFPAK T/R
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    4
    N-Channel
    1.9m Ω @ 25A, 10V
    1.95V @ 1mA
    3735pF @ 12V
    59nC @ 10V
    25V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5250DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    40A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    1.4m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6115pF @ 13V
    83nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    表面贴装
    8
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    5
    EAR99
    1.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    23 ns
    SWITCHING
    72ns
    24 ns
    100A
    20V
    40A
    25V
    400A
    470 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无
    无铅
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