您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PSMN2R0-30YLDX vs IRFH8318TRPBF

PSMN2R0-30YLDX备选型号: IRFH8318TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN2R0-30YLDX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    4
    SILICON
    100A Tc
    2.2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 25A, 10V
    2969pF @ 15V
    46nC @ 10V
    30V
    ±20V
    100A
    MO-235
    0.0025Ohm
    793A
    30V
    397 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8318TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    18 ns
    2.35V @ 50μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    3180pF @ 10V
    41nC @ 10V
    -
    ±20V
    27A
    -
    -
    400A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    EAR99
    3.6W
    15 ns
    33ns
    12 ns
    20V
    50A
    30V
    1.8 V
    无
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN 对比
FDMS8820 FDMS8820 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm 对比
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON 对比