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首页 全部分类 PSMN2R6-60PSQ vs BUK9E2R8-60E,127

PSMN2R6-60PSQ备选型号: BUK9E2R8-60E,127

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN2R6-60PSQ
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 150A TO-220
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    150A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    326W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 1mA
    7629pF @ 25V
    140nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    58 ns
    150A
    TO-220AB
    60V
    0.0026Ohm
    60V
    961A
    411 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK9E2R8-60E,127
    NXP USA Inc.
    Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail
    -
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    NO
    -
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6m Ω @ 25A, 10V
    2.1V @ 1mA
    17450pF @ 25V
    120nC @ 5V
    -
    ±10V
    -
    -
    -
    -
    0.0028Ohm
    -
    952A
    655 mJ
    ROHS3 Compliant
    TrenchMOS™
    e3
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    not_compliant
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSIP-T3
    60V
    120A
    60V
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