Nexperia USA Inc. PSMN2R6-60PSQ

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

326W Tc

Turn Off Delay Time

87 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

326W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.6m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7629pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

58 ns

连续放电电流(ID)

150A

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0026Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

961A

雪崩能量等级（Eas）

411 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant