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首页 全部分类 PSMN3R7-30YLC,115 vs NVTFS4C05NWFTAG

PSMN3R7-30YLC,115备选型号: NVTFS4C05NWFTAG

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  • 生命周期状态
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PSMN3R7-30YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    4
    N-Channel
    3.95m Ω @ 20A, 10V
    1.95V @ 1mA
    1848pF @ 15V
    29nC @ 10V
    30V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C05NWFTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    22A Ta 102A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    -
    N-Channel
    3.6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1988pF @ 15V
    31nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8
    SILICON
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    AEC-Q101
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    SWITCHING
    102A
    20V
    22A
    0.0051Ohm
    433A
    30V
    无铅
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