PSMN4R0-30YL,115备选型号: NVMFS4C05NWFT1G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 通道数量
- 元素配置
- 达到SVHC
- PSMN4R0-30YL - N-channel 30 V 4 m? logic level MOSFET in LFPAK12 WeeksTin表面贴装表面贴装SC-100, SOT-6695SILICON100A Tc2.15V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)4EAR99SINGLE鸥翼26030R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET69WDRAIN28 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 15A, 10V2090pF @ 12V36.6nC @ 10V51ns±20V18 ns100A20V99A30V396A41 mJ无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO4 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-24.7A Ta 116A Tc2.2V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)-EAR99--未说明未说明-----8 nsN-Channel-3.4m Ω @ 30A, 10V1972pF @ 15V30nC @ 10V26ns±20V5 ns116A20V-30V---ROHS3 Compliant无铅yesTin (Sn)1Singlenot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS4C05NWFTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH | 对比 | |
| NVMFS4C05NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL | 对比 | |
![]() | PSMN3R7-30YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 对比 |




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