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首页 全部分类 PSMN4R0-30YL,115 vs NVTFS4C05NWFTAG

PSMN4R0-30YL,115备选型号: NVTFS4C05NWFTAG

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 参考标准
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN4R0-30YL,115
    Nexperia USA Inc.
    PSMN4R0-30YL - N-channel 30 V 4 m? logic level MOSFET in LFPAK
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    SILICON
    100A Tc
    2.15V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 15A, 10V
    2090pF @ 12V
    36.6nC @ 10V
    51ns
    ±20V
    18 ns
    100A
    20V
    99A
    30V
    396A
    41 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C05NWFTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 102A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)
    1 (Unlimited)
    5
    -
    DUAL
    无铅
    -
    -
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 30A, 10V
    1988pF @ 15V
    31nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    102A
    20V
    22A
    -
    433A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    Tin (Sn)
    AEC-Q101
    30V
    0.0051Ohm
    30V
    not_compliant
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