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PSMN4R0-60YS,115备选型号: DMT6004LPS-13
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK12 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-669LFPAK56, Power-SO874A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)175°C-55°CN-Channel4mOhm @ 15A, 10V3501pF @ 30V56nC @ 10V60V±20V74A3.501nF4 mΩROHS3 Compliant----------------------
MOSFET N-CH 60V 22A22 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN-22A Ta 90A Tc3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)--N-Channel2.8m Ω @ 25A, 10V4515pF @ 30V96.3nC @ 10V60V±20V90A--ROHS3 Compliant8SILICONe35EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUALFLAT未说明未说明AEC-Q101R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING22A100A60V160 mJnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 22A | 对比 |
 | FDMS86568-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 80A POWER56 | 对比 |
 | STH140N6F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 | 对比 |
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