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PSMN4R0-60YS,115备选型号: IRFH7545TRPBF
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
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- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
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MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK12 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-669LFPAK56, Power-SO874A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)175°C-55°CN-Channel4mOhm @ 15A, 10V3501pF @ 30V56nC @ 10V60V±20V74A3.501nF4 mΩROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN-85A Tc3.7V @ 100μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)--N-Channel5.2m Ω @ 51A, 10V3890pF @ 25V110nC @ 10V60V±20V85A--ROHS3 Compliant8StrongIRFET™EAR99未说明未说明1Single8.6 ns26ns16 ns20V1.17mm6.15mm5.1mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 22A | 对比 |
 | FDMS86568-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 80A POWER56 | 对比 |
 | STH140N6F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 | 对比 |
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