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PSMN7R0-100PS,127备选型号: BUK9E6R1-100E,127
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 附加功能
- 端子位置
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB12 Weeks通孔TO-220-3NO3100A Tc4V @ 1mATube2013e3活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)175°C-55°CSingle增强型MOSFET269WDRAIN34.6 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 15A, 10V6686pF @ 50V125nC @ 10V45.6ns±20V49.5 ns100ATO-220AB20V100V0.0068Ohm100V475A无ROHS3 Compliant-------------
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO3120A Tc2.1V @ 1mATube2012e3Obsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)---增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 25A, 10V17460pF @ 25V133nC @ 5V-±10V-----0.0061Ohm-576A-ROHS3 CompliantSILICON-55°C~175°C TJTrenchMOS™雪崩 额定SINGLEAEC-Q101; IEC-60134R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE100V120A100V387 mJnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9E6R1-100E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | 对比 |
| BUK7E4R0-80E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK | 对比 |
| BUK6E4R0-75C,127 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK | 对比 |
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