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PSMN7R0-30MLC,115备选型号: PMDPB95XNE,115
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK3326 Weeks表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33YES8SILICON67A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)4Tin (Sn)SINGLE鸥翼8IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET57WDRAIN9.7 nsN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 15A, 10V2.15V @ 1mA1076pF @ 15V17.9nC @ 10V15.4ns±20V8.5 ns67A2.15V30V0.009Ohm30V270A无ROHS3 Compliant---
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6-表面贴装6-UDFN Exposed Pad---2.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012-Obsolete1 (Unlimited)----6-------2 N-Channel (Dual)-120m Ω @ 2A, 4.5V1.5V @ 250μA143pF @ 15V2.5nC @ 4.5V----------ROHS3 Compliant475mW30V逻辑电平门- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMPB16XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN | 对比 |
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| PMDPB95XNE,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | 对比 |
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