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PSMN8R5-100PSQ备选型号: BUK7E4R0-80E,127
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 参考标准
- JESD-30代码
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB12 Weeks通孔TO-220-3NO3SILICON87 ns4V @ 1mA2013-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET263WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING8.5m Ω @ 25A, 10V5512pF @ 50V111nC @ 10V35ns±20V43 ns100ATO-220AB20V100V0.0085Ohm100V429AROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO3SILICON120A Tc4V @ 1mA2012-55°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING4m Ω @ 25A, 10V12030pF @ 25V169nC @ 10V-±20V-----0.004Ohm-758AROHS3 Compliant-TrenchMOS™e3Tin (Sn)雪崩 额定AEC-Q101; IEC-60134R-PSIP-T380V120A80V488 mJnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9E6R1-100E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | 对比 |
| BUK7E4R0-80E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK | 对比 |
 | BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | 对比 |
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