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首页 全部分类 PTAB182002TCV2R250XUMA1 vs RFD16N05LSM9A

PTAB182002TCV2R250XUMA1备选型号: RFD16N05LSM9A

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 电阻
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  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    PTAB182002TCV2R250XUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET 65V 4-Pin H-49248H T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    4
    2
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    200°C
    -40°C
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    10V
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    L B
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RFD16N05LSM9A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 50V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    3
    16A Tc
    Tape & Reel (TR)
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    -
    10V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    SILICON
    2V @ 250mA
    -55°C~150°C TJ
    2003
    e3
    47MOhm
    Tin (Sn)
    MEGAFET
    50V
    16A
    R-PSSO-G2
    Single
    60W
    14 ns
    N-Channel
    47m Ω @ 16A, 5V
    80nC @ 10V
    30ns
    ±10V
    14 ns
    16mA
    2V
    TO-252AA
    50V
    45A
    2 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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