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首页 全部分类 PTAC260302FCV1XWSA1 vs DMP2100U-7

PTAC260302FCV1XWSA1备选型号: DMP2100U-7

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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 场效应管技术
  • 最高频段
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    PTAC260302FCV1XWSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 65V 5-Pin H-37248H-4 Tray
    表面贴装
    5
    2
    2016
    yes
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    4
    200°C
    -65°C
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-CDFP-F4
    28V
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    无卤素
    N-CHANNEL
    10V
    19.5 dB
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    S B
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2100U-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
    表面贴装
    3
    1.8V 10V
    2012
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    SWITCHING
    -
    -
    10V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    5 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    7.994566mg
    SILICON
    1.4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1
    Single
    1.3W
    80 ns
    P-Channel
    38m Ω @ 3.5A, 10V
    216pF @ 15V
    9.1nC @ 4.5V
    155ns
    20V
    ±10V
    423 ns
    4.3A
    -1.4V
    -20V
    1.1mm
    3mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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DMP2100U-7 DMP2100U-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 对比