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首页 全部分类 QH8MA2TCR vs MCH6331-TL-W

QH8MA2TCR备选型号: MCH6331-TL-W

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  • 最大功率耗散
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  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    QH8MA2TCR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    4.5A 3A
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    1.25W
    DUAL
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N and P-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 4.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    365pF @ 10V
    8.4nC @ 10V
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3A
    4.5A
    0.0056Ohm
    12A
    30V
    1.5 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6331-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin SC-88FL T/R
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    -
    26 ns
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2012
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    -
    98m Ω @ 1.5A, 10V
    2.6V @ 1mA
    250pF @ 10V
    5nC @ 10V
    30V
    -
    3.5A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    88
    5.4 ns
    12ns
    ±20V
    19 ns
    -2.6V
    20V
    无SVHC
    无铅
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